惠州s11变压器正向高频的发展方向

　　目前高频惠州s11变压器正朝着正向高频的方向快速发展，即高功率密度和低平面。高功率密度是市场发展的需求，而高频是提高功率密度的最有效办法。随着高频磁性材料的不断发展，也为惠州s11变压器高频化创造了条件。而在高频下，要提高惠州s11变压器的功率密度，关键是惠州s11变压器的设计技术。因为在高频下，高频涡流损耗变得很重要，传统的设计方法已经满足不了高频的要求，使得铁心和绕组的设计变得越来越重要。

　　而低平面惠州s11变压器的要求使得PCB绕组被广泛应用，但低平面也给惠州s11变压器设计带来新的困难，尤其是带气隙的惠州s11变压器，如反激式惠州s11变压器，谐正惠州s11变压器，PFC电感器等。总之，电子惠州s11变压器正向着高频、低平面和新的设计技术方面发展。 目前，高频惠州s11变压器主要应用于高频功率变换领域。

　　概括来讲，高频惠州s11变压器向着高频化、平面化、集成化、模快化、数组化和混合化方向发展， 并随之带来新的分析方法，如电磁场分析方法和新的设计技术，如优化设计、多场型集成综合设计，以及新的制造工艺对传统工艺的挑战。因为由于频率的提高和磁性材料的发展，许多半导体工艺技术就可以应用于高频惠州s11变压器的制造，或者说，惠州s11变压器已经不是一个分立的器件，它可能与功率变换器通过厚膜或薄膜等工艺已经融为一体了。在小功率情况下，这一趋势已经非常明显。